Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 60А; 500Вт; TO263; 118нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA60N20T
254,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA60N20T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 73нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 118нс
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,54 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 630В; X7T; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 630В; X7T; ±10%; SMD; 1210

6,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

3,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 680Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 215Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 215Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
215Ом
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669