Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23
Brand: VISHAY
SKU: SI2302CDS-T1-GE3
Price: 39.28 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: SI2302CDS-T1-GE3

39,28 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SI2302CDS-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

3,5нКл

Корпус:

SOT23

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

20В

Опір в стані провідності:

57мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,46Вт

Струм стока:

2,1А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT23

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1нКл

Корпус:
SC70; SOT323

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
110нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4,6нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Корпус:
SOT323

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт

318,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
249нКл

Корпус:
D2PAK-6