Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А; 22Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А; 22Вт
Brand: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
SKU: AONR34332C
Price: 19.70 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: AONR34332C

19,70 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

AONR34332C

Виробник:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

78нКл

Корпус:

DFN3.3x3.3 EP

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

1,6мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

22Вт

Струм стока:

100А

Струм стоку в імпульсі:

400А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
32,8нКл

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT89-3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT89

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В