1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 27А; 3,6Вт; PQFN5X6

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 27А; 3,6Вт; PQFN5X6
Немає в наявності
Код товару: IRFH8316TRPBF
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFH8316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Корпус: PQFN5X6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,6Вт
Струм стока: 27А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 340Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 340Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,99 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 3,24кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,24кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: рація RFID; AFE; 3÷3,6ВDC; I2C,SPI,UART; SMD; VQFN32; лоток
IC: рація RFID; AFE; 3÷3,6ВDC; I2C,SPI,UART; SMD; VQFN32; лоток

242,65 грн

Вид об'єднаної схеми:
AFE
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART
Комунікаційний протокол:
ISO14443A
Недоступний
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 100Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 100Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 17,1А; 31,25Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 17,1А; 31,25Вт

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
49нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 125Вт; D2PAK

189,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD