Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 18,5Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: AOD536
16,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AOD536
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 6,5нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 18,5Вт
Струм стока: 36А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 154кОм; 0603; 167мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 154кОм; 0603; 167мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

1,57 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
154кОм
Недоступний
Введення; Øмонт.отв: 16мм; Øотв: 12мм; чорний; ПВХ; 16224
Введення; Øмонт.отв: 16мм; Øотв: 12мм; чорний; ПВХ; 16224

26,23 грн

Engineering PN:
16224
Діаметр монтажного отвору:
16мм
Діаметр отвору:
12мм
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 8,66Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,66Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M12; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M12; IP67

2738,22 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...8мм
Загальна довжина:
50мм
Кількість пін:
4
Роз’єм: провід-провід; прямий; затискання; луджений
Роз’єм: провід-провід; прямий; затискання; луджений

14,70 грн

Електричний монтаж:
затискання
Покриття контакту:
луджений
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
провід-провід
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,7пФ
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 4x28AWG; неекранований; 300В; 305м; Cu
Провід; Xtra Guard® 1; 4x28AWG; неекранований; 300В; 305м; Cu

141212,79 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; UL 2464; UL 10002; UL 21894; VW-1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD