1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 440А; 940Вт; TO268HV; 72нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 440А; 940Вт; TO268HV; 72нс
Немає в наявності
Код товару: IXTT440N04T4HV
570,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT440N04T4HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 480нКл
Корпус: TO268HV
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 940Вт
Струм стока: 440А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 72нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

0,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
IC: PMIC; контролер PWM; VSSOP10; -40÷125°C; Uживл: 8÷15В; SMPS
IC: PMIC; контролер PWM; VSSOP10; -40÷125°C; Uживл: 8÷15В; SMPS

125,44 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер PWM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
SMPS
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 38,3кОм; SMD; 0603; 333мВт; ±1%; SG73P-RT
Резистор: thick film; 38,3кОм; SMD; 0603; 333мВт; ±1%; SG73P-RT

1,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 1060мм; 18м; AD; 24ВDC; 0÷55°C
Світловий бар'єр безпеки; H: 1060мм; 18м; AD; 24ВDC; 0÷55°C

0,00 грн

Висота:
1060мм
Властивості датчиків:
захист руки
Дальність:
18м
Напруга живлення:
24В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 383кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 383кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 5,9кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 5,9кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD