Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 10,8А; 38,5Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDPF18N50
186,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDPF18N50
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 265мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38,5Вт
Струм стока: 10,8А
Технологія: UniFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 190А; Idm: 760А; 192Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 190А; Idm: 760А; 192Вт; TO263

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO263
Недоступний
Резистор: thin film; 68,1Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 68,1Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Вимикач безпеки: з ключем; D4GS-N; NC x2 + NO; IP67; пластик
Вимикач безпеки: з ключем; D4GS-N; NC x2 + NO; IP67; пластик

9644,59 грн

Властивості вимикачів безпеки:
без ключа
Довжина проводу:
3м
Електричне під'єднування:
проводи
Електричні параметри роз’ємів:
240В AC / 0,75А
Насадка: шестигранний-bit; HEX 14мм; 1/2"; Довж.насадки: 60мм
Насадка: шестигранний-bit; HEX 14мм; 1/2"; Довж.насадки: 60мм

588,57 грн

Відповідність стандарту:
DIN 7422
Довжина насадки:
60мм
Матеріал:
хромована сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

2365,69 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
1,25А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247