Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 4,5А; 110Вт; D2PAK; ESD

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 4,5А; 110Вт; D2PAK; ESD
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB9NK50ZT4
Price: 26.99 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: STB9NK50ZT4

26,99 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1000

Крок додавання: 1000

Код товару:

STB9NK50ZT4

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

D2PAK

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

500В

Опір в стані провідності:

0,85Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

110Вт

Струм стока:

4,5А

Технологія:

SuperMesh™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT23

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1нКл

Корпус:
SC70; SOT323

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
110нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4,6нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Корпус:
SOT323

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт

318,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
249нКл

Корпус:
D2PAK-6