Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4А; Idm: 40А; 1Вт; SOT223

Немає в наявності
Код товару: IRLL024ZTRPBF
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 55В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206

12,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 630В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 630В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

3,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
47пФ
IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±2,2%; SOT23; 100мА
IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±2,2%; SOT23; 100мА

57,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2,2%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
SOT23
Модуль: RF; рація FM; FSK; UART; -117дБм; 2,4÷3,6ВDC; 434МГц; 20дБм
Модуль: RF; рація FM; FSK; UART; -117дБм; 2,4÷3,6ВDC; 434МГц; 20дБм

861,00 грн

Вид модуля:
рація FM
Вид модуляції:
FSK
Інтерфейс:
UART
Напруга живлення:
2,4...3,6В DC
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 220мА; Idm: 0,8А; 125мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 220мА; Idm: 0,8А; 125мВт

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT963
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD323; SMD; 20В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD323; SMD; 20В; 1А; ролик,cтрічка

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
25пФ
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
SOD323
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8