1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 227Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 227Вт; TO220AB
Немає в наявності
Код товару: SIHP22N60E-E3
138,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHP22N60E-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 21А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 125А; Idm: 500А; 347,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 125А; Idm: 500А; 347,2Вт

281,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
73,8нКл
Корпус:
TO220-3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 16кБSRAM,128кБFLASH; QFN32; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 16кБSRAM,128кБFLASH; QFN32; 1,71÷3,6ВDC

233,15 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USART; USB; USB OTG
Кількість входів/виходів:
23
Корпус:
QFN32
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
22пФ
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 0805

3,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

3,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247

435,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,7нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 480А; 176,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 480А; 176,5Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

835,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
149нКл
Корпус:
TO247-3