Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7

Немає в наявності
Код товару: IPB016N06L3GATMA1
82,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB016N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 180А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Sleeveless t-shirt; Size: S; black; 160g/m2
Sleeveless t-shirt; Size: S; black; 160g/m2

235,05 грн

Вага:
160г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
чорний
Матеріал:
бавовна
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

1,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP80; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP80; 3÷3,6ВDC; DSPIC

428,28 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,91кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 1,91кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

138,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 1А; 625мВт; SOT363
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 1А; 625мВт; SOT363

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт

318,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
249нКл
Корпус:
D2PAK-6