Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; 110Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: STD16N65M2
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 19,5нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,32Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 110Вт
Струм стока: 11А
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -48А; 105Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -48А; 105Вт; TO263

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 115Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 115Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вентилятор: AC; 970x970x308мм; осьовий; 400ВAC; 17030м3/г; IP55
Вентилятор: AC; 970x970x308мм; осьовий; 400ВAC; 17030м3/г; IP55

0,00 грн

Виводи:
конектори
Вид вентилятора:
осьовий
Вид двигуна:
3-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thick film; 549Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 549Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 20МГц; ADC,ICSP,PWM; SMD; DFN8
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 20МГц; ADC,ICSP,PWM; SMD; DFN8

58,29 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
ADC; ICSP; PWM
Кількість входів/виходів:
5
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD128F; SMD; 100В; 2А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD128F; SMD; 100В; 2А; ролик,cтрічка

29,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK