Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 27,4А; 391Вт; PG-TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPW65R080CFDA
292,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPW65R080CFDA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 391Вт
Струм стока: 27,4А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 68пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 68пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

0,00 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
68пФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD

14,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Датчик: ІЧ-детектор; THT; TO8; -20÷30°C; 70°; λd: 10,6мкм; 90Ом
Датчик: ІЧ-детектор; THT; TO8; -20÷30°C; 70°; λd: 10,6мкм; 90Ом

75000,73 грн

Довжина хвилі λd:
10,6мкм
Додаткові функції:
mатеріал віконця: GE
Корпус:
TO8
Кут поля зору:
70°
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SOT23
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 50ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 50ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603

0,34 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
15нФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60

357,32 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
TWBGA60
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 64А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 64А; 1250Вт; TO264

714,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 500Вт; TO220AB

247,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
63нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 22А; 357Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 22А; 357Вт; ISOPLUS264™

700,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 13А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 13А; 290Вт; ISOPLUS247™

1053,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
193нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,6А; Idm: 48А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,6А; Idm: 48А; 35Вт; TO220FP

260,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD