1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,7А; Idm: 48А; 51Вт; TO220F

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,7А; Idm: 48А; 51Вт; TO220F
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BXP12N65F
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXP12N65F
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: TO220F
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 51Вт
Струм стока: 7,7А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

10,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247

435,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,7нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
149нКл