Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 230А; 480Вт; TO220AB; 66нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP230N075T2
382,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP230N075T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 178нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 230А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 66нс
Недоступний
Резистор: thick film; 69,8Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 69,8Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
69,8Ом
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,4пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,1пФ
Недоступний
Провід: управління; chainflex® CF10.UL; 20G0,75мм2; сірий; тросик
Провід: управління; chainflex® CF10.UL; 20G0,75мм2; сірий; тросик

2190,20 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Недоступний
Маркер: кабельний; Маркування: -; 2,5÷5мм; ПВХ; жовтий; на корпус
Маркер: кабельний; Маркування: -; 2,5÷5мм; ПВХ; жовтий; на корпус

2,28 грн

Висота:
5,5мм
Довжина:
3мм
Зовнішній діаметр проводу:
2,5...5мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
IC: рація RF; 2÷3,6ВDC; SPI; SMD; VQFN32; 256БRAM,4кБROM
IC: рація RF; 2÷3,6ВDC; SPI; SMD; VQFN32; 256БRAM,4кБROM

313,61 грн

Інтерфейс:
SPI
Комунікаційний протокол:
IEEE 802.15.4 g
Корпус:
VQFN32
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO220-3

159,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 55А; 244Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 55А; 244Вт; TO247-4

427,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,6А; 26,4Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,6А; 26,4Вт; TO220FP

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7А; 28Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7А; 28Вт; TO220FP

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3-FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3

311,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4

734,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Корпус:
PG-TO247-4