Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 150А; 300Вт; TO220-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: CSD19505KCS
214,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD19505KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 76нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 150А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Товщина радіатора: 1,14...1,4мм
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; неекранований; вилка; PUR; IP67
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; неекранований; вилка; PUR; IP67

1419,79 грн

Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V

131,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 30В; Urmax: 6В
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 30В; Urmax: 6В

41,81 грн

Вид виходу:
Darlington
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

8,24 грн

Alias:
KGM15ACG2A271JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,1А; Idm: -14А; 3,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,1А; Idm: -14А; 3,1Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT223
Резистор: thin film; 2,15кОм; 0603; 100мВт; -55÷150°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 2,15кОм; 0603; 100мВт; -55÷150°C; 25ppm/°C

36,62 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Модель:
ESD
Опір:
2,15кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 96А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 96А; 600Вт; TO247-3

418,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
145нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 230А; 1670Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 230А; 1670Вт; TO264

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 36Вт; TO220FP; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 36Вт; TO220FP; 95нс

499,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB; 400нс

259,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
43нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 18А; 360Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 18А; 360Вт; TO247-3

426,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 80А; 1300Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 80А; 1300Вт; TO264

738,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; 540Вт; TO220AB; 164нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; 540Вт; TO220AB; 164нс

463,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
56нКл