Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 6,7А; Idm: 21А; 22Вт

Немає в наявності
Код товару: MXP120A250FW-GE3
280,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MXP120A250FW-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 20,3нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22Вт
Струм стока: 6,7А
Струм стоку в імпульсі: 21А
Технологія: MaxSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJU06F
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJU06F

0,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 1008; 390нГн; 375мА; R: 0,65Ом; ±5%
Реактор: феритовий; SMD; 1008; 390нГн; 375мА; R: 0,65Ом; ±5%

4,18 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,39мкГн
Корпус - дюйм:
1008
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 15ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 200мА; SIP4
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 15ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 200мА; SIP4

311,71 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
15В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; -5ВDC; Iвих: 200мА; Iвих.2: 200мА; DIP; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; -5ВDC; Iвих: 200мА; Iвих.2: 200мА; DIP; THT

0,00 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603; 178мм

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2÷5,5ВDC; SOT23-5; 200мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2÷5,5ВDC; SOT23-5; 200мкА

23,69 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,5мВ
Діапазон напруги живлення:
2...5,5В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 400Вт; TO220AB; 93нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 400Вт; TO220AB; 93нс

330,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
87нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 10А; 300Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 10А; 300Вт; TO247-3

378,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В