Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 150В; 20А; Idm: 80А; 68Вт

Немає в наявності
Код товару: GT650N15K
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT650N15K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; Idm: 28А; 73,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; Idm: 28А; 73,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK; TO252AA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111

50,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,26 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
680Ом
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT

53,22 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
3,3мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
Недоступний
Ящик; для інструменту; з колесами; 400x400x705мм
Ящик; для інструменту; з колесами; 400x400x705мм

3027,75 грн

Зовнішні розміри:
400x400x705мм
Модель:
з колесами
Тип контейнера:
для інструменту, ящик
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 75кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C

21,79 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8