1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 500мА; Idm: 3,2А; ESD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 500мА; Idm: 3,2А; ESD
Немає в наявності
Код товару: PMH600UNEH
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMH600UNEH
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,31нКл
Корпус: DFN0606-3; SOT8001
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,5А
Струм стоку в імпульсі: 3,2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,1пФ
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,6В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,6В

7,98 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,6В
Вихідний струм:
0,2А
Недоступний
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 120А; 300Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 120А; 300Вт

410,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
104нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
47пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1,67кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 1,67кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 8; гніздовий; промислова; C091D; 100В; 5А
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 8; гніздовий; промислова; C091D; 100В; 5А

631,65 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
12,9нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
LFPAK33; SOT1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 25А; Idm: 100А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 25А; Idm: 100А; 64Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669