Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 900мА; Idm: 5А; ESD

Name: Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 900мА; Idm: 5А; ESD
Brand: NEXPERIA
SKU: PMZ200UNEYL
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: PMZ200UNEYL

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 10000

Крок додавання: 10000

Код товару:

PMZ200UNEYL

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

2,7нКл

Корпус:

DFN1006-3; SOT883

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

410мОм

Поляризація:

польовий

Струм стока:

0,9А

Струм стоку в імпульсі:

5А

Технологія:

Trench

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
105нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT523

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±16В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
48нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669