Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 19А; Idm: 50А; 5Вт

Немає в наявності
Код товару: SI7386DP-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7386DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 9,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: 19А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; SMT; 2.5A; 100V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; SMT; 2.5A; 100V

210,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
6
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 20; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 20; SMT; 3A; 150V

513,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина відводів:
4мм
Електричний монтаж:
SMT
Реактор: дротяний; THT; 510мА; ±10%; RLB; 12,2x9x12,2мм; Растр: 5мм
Реактор: дротяний; THT; 510мА; ±10%; RLB; 12,2x9x12,2мм; Растр: 5мм

14,45 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Висота:
12,2мм
Допуск:
±10%
Лабораторний затиск; чорний; 70ВDC; 33ВAC; 16А; нікель; поліамід
Лабораторний затиск; чорний; 70ВDC; 33ВAC; 16А; нікель; поліамід

236,95 грн

Довжина:
38,9мм
Колір:
чорний
Матеріал ізоляції:
поліамід
Матеріал контакту:
нікель
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; HV; 500В
Резистор: thick film; 1,3МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; HV; 500В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Резистор: thick film; 18Ом; 0201; 50мВт; ±1%; RC; 0,6x0,3x0,23мм
Резистор: thick film; 18Ом; 0201; 50мВт; ±1%; RC; 0,6x0,3x0,23мм

0,04 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223