1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 11,3А; Idm: 40А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 11,3А; Idm: 40А
Немає в наявності
Код товару: SI4850BDY-T1-GE3
32,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,5Вт
Струм стока: 11,3А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 24,4В; 42,2А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 24,4В; 42,2А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

29,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
22В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; Р.стрічки: 0,5мм; Жили: 28
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; Р.стрічки: 0,5мм; Жили: 28

49,42 грн

Вид матеріалу:
негалогенний
Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
304мм
Номінальна напруга:
60В
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,6Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C

0,13 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 7,87МОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,87МОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
7,87МОм
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 0,6x0,3x0,23мм
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 0,6x0,3x0,23мм

0,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3x0,23мм
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; 1 x Li-Ion / Li-Po
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; 1 x Li-Ion / Li-Po

171,06 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер зарядки акумуляторів
Інтерфейс:
I2C
Кількість акумуляторів:
1 x Li-Ion / Li-Po
Корпус:
DSBGA15
Недоступний
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252AA