Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 38А; 277Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMM38N60C2
122,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM38N60C2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277Вт
Струм стока: 38А
Технологія: WMOS™ C2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кінцевий роз'єм прямий; PG13,5; Різьбл: PG; латунь; SILVYN SSVZ
Кінцевий роз'єм прямий; PG13,5; Різьбл: PG; латунь; SILVYN SSVZ

273,06 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
для обплетень; до пешл
Вид різьблення:
PG
Клас герметичності:
IP54
Матеріал:
латунь
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
2,2кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 4,32кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: D-Sub; PIN: 25; socket; female; data transfer; on PCBs
Connector: D-Sub; PIN: 25; socket; female; data transfer; on PCBs

274,33 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
25
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

380,13 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 3,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 3,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD