Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 20А; 540Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: IXFA20N85XHV
563,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFA20N85XHV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 850В
Опір в стані провідності: 0,33Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 540Вт
Струм стока: 20А
Технологія: HiPerFET™; X-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 190нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

238,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,9мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 86; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 86; THT; 1.5A

1459,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Одноплатний комп'ютер; Cortex A7; 1ГБFLASH,1ГБRAM; i.MX6UL-2
Одноплатний комп'ютер; Cortex A7; 1ГБFLASH,1ГБRAM; i.MX6UL-2

11795,50 грн

Версія Bluetooth:
5.0
Вид архітектури:
Cortex A7
Вид пам’яті:
DDR3
Інтерфейс:
24bit RGB; CAN; CSI; Ethernet; GPIO; I2C; JTAG; NFC; SPI; SWD; UART; USB; USB OTG; WiFi
Недоступний
Резистор: thin film; 909Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 909Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Тримач; CR2450,DL2450; PCB; H: 5,8мм; Ø: 24мм
Тримач; CR2450,DL2450; PCB; H: 5,8мм; Ø: 24мм

38,33 грн

Висота:
5,8мм
Діаметр батареї:
24мм
Монтаж:
PCB
Розмір осередку:
CR2450; DL2450
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V

33,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 13МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC; DIP8; 88дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 13МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC; DIP8; 88дБ

489,10 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Діапазон напруги живлення:
± 4,5...18В DC
Транзистор: N-JFET; польовий; 8мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 8мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 800мВт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,78А; Idm: 46,5А; 2,17Вт

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
12,9нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
LFPAK33; SOT1210