Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7,5А; 2Вт; SO8

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7,5А; 2Вт; SO8
Brand: ONSEMI
SKU: FDS6890A
Price: 97.57 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: FDS6890A

97,57 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

FDS6890A

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

32нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

20В

Опір в стані провідності:

34мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2Вт

Струм стока:

7,5А

Технологія:

PowerTrench®

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
4,3нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
17,9нКл

Корпус:
TSSOP8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,7нКл

Корпус:
SuperSOT-6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
23нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,3нКл

Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 4/8Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
7,1нКл

Корпус:
DFN5x6