Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 25А; Idm: 98А; 19Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD6H852NLWFT1G
110,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD6H852NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 25,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 98А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм

3,26 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
15нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V

70,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
11,6мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; PV; 4,45x4,1x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; PV; 4,45x4,1x1,8мм

14,64 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,45x4,1x1,8мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 50мм; 10÷35ВDC; M80; 2м; IP65
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 50мм; 10÷35ВDC; M80; 2м; IP65

35681,75 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
50мм
Довжина відводів:
2м
Довжина гвинта:
40мм
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 5А; 2Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 5А; 2Вт; ESD

10,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4нКл
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 21Вт; HSOP8

46,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,9нКл
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8