Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В

Немає в наявності
Код товару: SIZF906DT-T1-GE3
67,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZF906DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 49/200нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5,3/1,58мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38/83Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 80...100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷150А; 300В; BE39; 96x96x64мм
Амперметр; на панель; I AC: 0÷150А; 300В; BE39; 96x96x64мм

4183,99 грн

Вимір:
струму AC
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-1; EN 61000-6-2; EN 61000-6-4
Властивості вимірювальних приладів:
2 поради; виконання, наближене до тропічного; вказує на найвище досягнуте значення струму; миттєве вимірювання струму; показує середнє значення середньоквадратичного струму кожні 15 хвилин
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603

3,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Трансформатор: литий; 1,9ВА; 230ВAC; 15В; 15В; 63мА; 63мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 1,9ВА; 230ВAC; 15В; 15В; 63мА; 63мА; PCB; BVEI

197,04 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
15В
Вторинна напруга 2:
15В
Зовнішні розміри:
32,5x27,5x23,8мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 35м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 35м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR

2768,00 грн

Довжина кабелю:
35м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; Uізол: 3,75кВ; SOP4; Urmax: 60В
Оптрон; SMD; Ch: 1; Uізол: 3,75кВ; SOP4; Urmax: 60В

0,00 грн

Зворотна напруга макс.:
60В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOP4
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -30А; 35Вт; DFN3x3-8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -30А; 35Вт; DFN3x3-8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
DFN3x3-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6