1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,35Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,35Вт
Немає в наявності
Код товару: DMC2990UDJ-7
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMC2990UDJ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT963
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 0,99/1,9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,35/-0,24А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Діод: TVS; 1,5кВт; 28,5В; 36,2А; односпрямована; SMPC,TO277A; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 28,5В; 36,2А; односпрямована; SMPC,TO277A; Ch: 1

26,67 грн

Зворотна напруга макс.:
25,6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMPC; TO277A
Монтаж:
SMD
Провід; Silivolt®-E; 1x0,5мм2; тросик; Cu; силікон; чорний; 300В
Провід; Silivolt®-E; 1x0,5мм2; тросик; Cu; силікон; чорний; 300В

159,02 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
E175157
Вміст упаковки:
100м
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 30В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 30В; DIP6

38,65 грн

CTR@If:
225-400%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
3В
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 310В; 22,5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 310В; 22,5мм; ±10%; THT

9,88 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6