1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 350мВт

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 350мВт
Немає в наявності
Код товару: PJT7605-AU_R1_000A1
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJT7605-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 700пКл/1,1нКл
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60/-60В
Опір в стані провідності: 3/4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 250/-250мА
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 220мкФ; SMD; 10ВDC; D; 2917
Конденсатор: танталово-полімерний; 220мкФ; SMD; 10ВDC; D; 2917

43,72 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 18А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 18А; Idm: 100А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
SO8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210

13,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 22000мкФ; 6,3ВDC; Ø18x35,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 22000мкФ; 6,3ВDC; Ø18x35,5мм

79,83 грн

Висота:
35,5мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мФ
Резистор: thick film; 174Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 174Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363