Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; польовий; 20/-20В; 400/-300мА

Немає в наявності
Код товару: PMCXB900UEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: PMCXB900UEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 700пКл/2,1нКл
Корпус: DFN1010B-6; SOT1216
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8/±8В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 1/2,1Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 400/-300мА
Струм стоку в імпульсі: -2...2,5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C

6,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

150,79 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
50000 цикли
Зовнішні розміри:
10,6x7,2x5,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷200А; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19
Амперметр; на панель; I AC: 0÷200А; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19

1898,13 грн

Вимір:
струму AC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
97мм
електричне перевантаження:
max 300А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; straight
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; straight

15,27 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3мм
Довжина контакту:
2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 511кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 511кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/2,2нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт

14,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD