Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

Немає в наявності
Код товару: SIA527DJ-T1-GE3
12,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA527DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26/15нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12/-12В
Опір в стані провідності: 174/65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 4,5/-4,5А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Суперконденсатор; THT; 50Ф; 2,7ВDC; ±20%; Ø18x35мм; Растр: 7,5мм
Суперконденсатор; THT; 50Ф; 2,7ВDC; ±20%; Ø18x35мм; Растр: 7,5мм

290,80 грн

Висота:
35мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
50Ф
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 6,3В; C0G (NP0); ±2%; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 6,3В; C0G (NP0); ±2%; 0201

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 68мкГн; 0,185А; R: 2,9Ом; ±10%; Ø3x7мм; ферит
Реактор: дротяний; THT; 68мкГн; 0,185А; R: 2,9Ом; ±10%; Ø3x7мм; ферит

10,33 грн

Виводи:
осьові
Високосортність:
60
Висота:
7мм
Діаметр:
3мм
Резистор: thick film; 100мОм; вимірювальний
Резистор: thick film; 100мОм; вимірювальний

27,12 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Опір:
0,1Ом
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,1пФ
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 5А; 2Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 5А; 2Вт; ESD

10,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4нКл
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 21Вт; HSOP8

46,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,28Вт; SO8

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,9нКл
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8