Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -0,43А; Idm: -1,6А; 0,48Вт

Немає в наявності
Код товару: SI2325DS-T1-E3
79,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2325DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,7нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Опір в стані провідності: 1,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,48Вт
Струм стока: -430мА
Струм стоку в імпульсі: -1,6А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 1,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 118кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 118кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: TNC; гніздо; штекерний; коаксіальний; прямий; 50Ом; паяння
Роз’єм: TNC; гніздо; штекерний; коаксіальний; прямий; 50Ом; паяння

855,30 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Матеріал ізоляції:
PTFE
Недоступний
Threading die: inch; UNF 6; UNF; 40; Ø: 20mm; Thk: 5mm; 2A
Threading die: inch; UNF 6; UNF; 40; Ø: 20mm; Thk: 5mm; 2A

1738,47 грн

Type of threading die:
дюймовий
Вид різьблення:
UNF
Використання інструментів:
алюміній; пластмаса; сталь
Відповідність стандарту:
DIN EN 22568
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1000000пФ; 2,5В; X6T; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1000000пФ; 2,5В; X6T; ±20%; SMD; 0402

0,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6T
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD

0,98 грн

Alias:
KGM15ACG2A181KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 280МГц; UFBGA169; 1,62÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 280МГц; UFBGA169; 1,62÷3,6ВDC

618,35 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN FD; GPIO; HDMI CEC; I2C; I2S; LPUART; MDIO; PDM; SAI; SDMMC; SPDIF; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
121
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8