Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -14А; Idm: -80А; 2,3Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP2006UFGQ-13
Price: 28.38 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -14А; Idm: -80А; 2,3Вт

Немає в наявності

Код товару: DMP2006UFGQ-13

28,38 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

DMP2006UFGQ-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

200нКл

Корпус:

PowerDI3333-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±10В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

17мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,3Вт

Струм стока:

-14А

Струм стоку в імпульсі:

-80А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Бажані

Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

35,73 грн

Виводи:
радіальні

Тип конденсатора:
поліпропиленовий

Недоступний

Бажані

IC: пам'ять FLASH; 2МбFLASH; 256Кx16бит; 55нс; TSOP32; паралельний

114,67 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TSOP32

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Test probe: screw-in; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; screw-in

333,88 грн

Type of test probe:
screw-in

Вигин пружини макс.:
5,3мм

Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні

Діаметр наконечника:
2,5мм

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 301Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

28,83 грн

Виводи:
осьові

Діаметр:
2,5мм

Довжина:
7,2мм

Допуск:
±0,5%

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2,8нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
41нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
40нКл

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
23нКл

Корпус:
SuperSOT-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
65нКл

Корпус:
SO8