1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NDS332P
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NDS332P
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: SuperSOT-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,74Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -1А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

1,19 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
LoRa-CC68-915-T : FCC ID Certified LLCC68 LoRa Wireless Transceiver Modulewith TCXO & ESD Protection
LoRa-CC68-915-T : FCC ID Certified LLCC68 LoRa Wireless Transceiver Modulewith TCXO & ESD Protection

0,00 грн

Вихідна потужність:
160mW
Мікроконтролер:
LLCC68
Модуляція:
LoRa
Частота:
915MHz
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 75В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 75В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

2197,16 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
75В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Викрутка: динамометрична; 165мм; 1÷5Нм; 1/4"; MicroClick MC5; ±6%
Викрутка: динамометрична; 165мм; 1÷5Нм; 1/4"; MicroClick MC5; ±6%

3786,75 грн

Докладність вимірювання:
±6%
Загальна довжина:
165мм
Обертаючий момент:
1...5Нм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7T; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7T; ±20%; SMD; 0805

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8