Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт

Немає в наявності
Код товару: CSD25501F3T
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD25501F3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PICOSTAR3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,26Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -3,6А
Струм стоку в імпульсі: -13,6А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; односпрямована; DO214AB,SMC; ролик,cтрічка; 3KSMC
Діод: TVS; 3кВт; односпрямована; DO214AB,SMC; ролик,cтрічка; 3KSMC

26,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
26В
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: TCM515U; рація RF; 3,3ВDC
Click board; макетна плата; Комп: TCM515U; рація RF; 3,3ВDC

2332,11 грн

Вид модуля:
рація RF
Інтерфейс:
UART
Компоненти:
TCM515U
Напруга живлення:
3,3В DC
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 3В; DO35; одиночний діод
Діод: зенера; 0,5Вт; 3В; DO35; одиночний діод

1,58 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Fuse: fuse with holder; 5x20mm; ceramic; SMD; 1A; Imax: 16A; 500VAC
Fuse: fuse with holder; 5x20mm; ceramic; SMD; 1A; Imax: 16A; 500VAC

62,72 грн

Виводи:
паяльні пункти
Вид запобіжника:
керамічний
Використання аксесуари для запобіжників:
циліндричні запобіжники
Властивості запобіжників:
with fuseholder
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 56,2Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 56,2Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -13,4А; Idm: -40А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -13,4А; Idm: -40А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN2020-6