Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,2А; SOT23-6

Немає в наявності
Код товару: PJS6415A_S1_00001
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJS6415A_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 12В
Напруга сток-джерело: -20В
Поляризація: польовий
Струм стока: -5,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 12ВDC; SIP8; THT; AM1G-Z; ККД: 77%
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 12ВDC; SIP8; THT; AM1G-Z; ККД: 77%

616,45 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
77%
Корпус:
SIP8
Недоступний
IC: мікроконтролер; 200МГц; NFBGA169; CAN,I2C,LIN,SPI,USART,USB
IC: мікроконтролер; 200МГц; NFBGA169; CAN,I2C,LIN,SPI,USART,USB

867,34 грн

Вид архітектури:
32бит
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PWM
Інтерфейс:
CAN; I2C; LIN; SPI; USART; USB
Кількість таймерів 16бит:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 500В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 500В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0805

10,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,9пФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 8,33В; 232,6А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 8,33В; 232,6А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

22,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
7,5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Обтиск; з подовженим різьбленням; PG16; IP68; поліамід
Обтиск; з подовженим різьбленням; PG16; IP68; поліамід

105,17 грн

Версія введення:
з подовженим різьбленням
Вид різьблення:
PG
Довжина гвинта:
15мм
Зовнішній діаметр проводу:
7...14мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 78; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 78; THT; 1.5A; 60V

750,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,8мм
Довжина відводів:
6,6мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -16А; 1,8Вт; SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -16А; 1,8Вт; SOT23-6

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11,7нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; Idm: -100А; 22,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; Idm: -100А; 22,5Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -18А; Idm: -72А; 22Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -18А; Idm: -72А; 22Вт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11,5А; Idm: -46А; 3,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11,5А; Idm: -46А; 3,1Вт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -53А; 3Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -53А; 3Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -45В; -4,5А; 15Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -45В; -4,5А; 15Вт; DPAK,TO252

35,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-45В