Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -35А; 1,6Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: DMP2022LSSQ-13
17,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMP2022LSSQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 60,2нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: -7,4А
Струм стоку в імпульсі: -35А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 150нГн; 580мА; R: 0,7Ом; ±1%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 150нГн; 580мА; R: 0,7Ом; ±1%; LQW; 180мм

7,86 грн

Високосортність:
45
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Індуктивність:
0,15мкГн
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 1,37Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thin film; 8,45Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 8,45Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

10,26 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; OFF-(ON),ON-(OFF); V7; 0,15Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; OFF-(ON),ON-(OFF); V7; 0,15Н

158,39 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Конфігурація контактів:
SPDT
Монтаж:
на панель
Робоча температура:
-40...85°C
Резистор: thick film; 750Ом; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 750Ом; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Туба для картріджа; 591мл; чорний; алюміній
Туба для картріджа; 591мл; чорний; алюміній

0,00 грн

Колір:
чорний
Матеріал:
алюміній
Об'єм шприца:
591мл
Супутні товари:
TCH-EA200C-HD
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

1,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Монтаж:
SMD
Опір:
100кОм
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD