Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -45,8А; 3Вт; SOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMS12P03T1
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMS12P03T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 9,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: -11,5А
Струм стоку в імпульсі: -45,8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1206; 330мВт,750мВт; ±5%
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1206; 330мВт,750мВт; ±5%

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 6; ON-OFF; 0,025A/24ВDC
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 6; ON-OFF; 0,025A/24ВDC

83,63 грн

Властивості перемикачів:
повзунок "піано" короткий
Електрична стійкість:
1000 цикли
Загальна довжина:
15,14мм
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

59,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -70А; Idm: -300А; 46Вт; QFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -70А; Idm: -300А; 46Вт; QFN5x6

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
125нКл
Корпус:
QFN5x6
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний; 1/4"
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний; 1/4"

2269,39 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; накидний; насадковий
Розмір гнізда тримача - мм:
9x12мм
Розмір ключа - дюйм:
1/4"
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; 100ppm/°C

6,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А