Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт

Немає в наявності
Код товару: RE1E002SPTCL
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RE1E002SPTCL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT416F
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 2,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,15Вт
Струм стока: -0,25А
Струм стоку в імпульсі: -0,5А
Тип транзистора: P-MOSFET
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; Dubox®; 2A; PIN: 16
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; Dubox®; 2A; PIN: 16

141,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
16
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,25÷5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,25÷5В

33,58 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вихідна напруга:
1,25...5В
Вихідний струм:
0,15А
Вхідна напруга:
1,75...6В
Роз’єм: коаксіальний; вилка; штекерний; прямий; паяння; 50Ом
Роз’єм: коаксіальний; вилка; штекерний; прямий; паяння; 50Ом

225,55 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Матеріал ізоляції:
LCP
Матеріал контакту:
латунь
2,74кОм; RT; ±1%; 250мВт; 1206; 50ppm/°C; 3,2x1,6x0,55мм
2,74кОм; RT; ±1%; 250мВт; 1206; 50ppm/°C; 3,2x1,6x0,55мм

0,93 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,74кОм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 10мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø26,3x40мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 10мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø26,3x40мм

670,30 грн

Виводи:
осьові
Висота:
40мм
Діаметр:
26,3мм
Допуск:
±2%
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 60В; 7,5А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 60В; 7,5А; ролик,cтрічка

38,65 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
60В
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8