Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346

Немає в наявності
Код товару: RRR030P03HZGTL
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RRR030P03HZGTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,2нКл
Корпус: SOT346
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: -3А
Струм стоку в імпульсі: -12А
Тип транзистора: P-MOSFET
Вилка; штекерний; 125В; PIN: 16; кутовий; на панель,на PCB; THT
Вилка; штекерний; 125В; PIN: 16; кутовий; на панель,на PCB; THT

529,02 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
16
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; AHCT; 20мкА
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; AHCT; 20мкА

48,15 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
2
Корпус:
TSSOP14
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 19мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 19мм; 1/2"

888,88 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
85мм
Розмір гнізда:
HEX 19мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2мкФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2мкФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 2220

156,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2мкФ
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама" кутовий; 5м; ПВХ
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама" кутовий; 5м; ПВХ

997,21 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
3
Конструкція кабелю/переходу:
М12 "мама" кутовий
Недоступний
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 400В; Ufmax: 1,6В; If: 25А
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 400В; Ufmax: 1,6В; If: 25А

3496,58 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
зворотний діод
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Модель:
mодуль
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15,6А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15,6А; 125Вт; D2PAK

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,18нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; Idm: -8А; 1,7Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; Idm: -8А; 1,7Вт; SOT23

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -4А; Idm: -26А; 74Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -4А; Idm: -26А; 74Вт

165,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,2А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,2А; 1,5Вт; SOT89

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO263

342,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO263