1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9А; Idm: -70А; 1,9Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9А; Idm: -70А; 1,9Вт
Немає в наявності
Код товару: DMP3018SFV-13
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP3018SFV-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 51нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,9Вт
Струм стока: -9А
Струм стоку в імпульсі: -70А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: супервізор; push-pull; Активний стан: низьке; 1÷5,5ВDC; 1мкА
IC: супервізор; push-pull; Активний стан: низьке; 1÷5,5ВDC; 1мкА

28,51 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
push-pull
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги; монітор обнулення живлення (PoR)
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 10ВDC; SMD; E; 2917; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 10ВDC; SMD; E; 2917; ±20%; TPS

65,26 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
150мкФ
Корпус:
E
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,6А; 0,8Вт; TO39
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 0,6А; 0,8Вт; TO39

167,89 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO39
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
60В
Роз’єм: круглі; PIN: 12; прямий; позолочений
Роз’єм: круглі; PIN: 12; прямий; позолочений

19566,67 грн

Кількість пін:
12
Покриття контакту:
позолочений
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
круглі
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 600В; 60А; Ifsm: 830А; TO247AC-2; туба; 180нс
Діод: випрямний; THT; 600В; 60А; Ifsm: 830А; TO247AC-2; туба; 180нс

476,43 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO247AC-2
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; V; 7x6,6x1,6мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; V; 7x6,6x1,6мм

16,28 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7x6,6x1,6мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,6пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8