Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,2А; Idm: -26А; 1,1Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: DMP4047SSDQ-13
20,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMP4047SSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 21,5нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 55мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: -5,2А
Струм стоку в імпульсі: -26А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 6; straight; THT; 2.54mm; 2x3
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 6; straight; THT; 2.54mm; 2x3

29,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
6
Недоступний
Датчик: Холла; біполярний; P-TSOP6-6-5; -4,2÷4,2мТл; SMT
Датчик: Холла; біполярний; P-TSOP6-6-5; -4,2÷4,2мТл; SMT

34,85 грн

Вид датчика:
біполярний
Діапазон стверджувальнего магнітного поля:
-4,2...4,2мТл
Корпус:
P-TSOP6-6-5
Монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 14,4÷16В; 18,6А; двоспрямована; ±5%; SMA; P4SMAJ
Діод: TVS; 400Вт; 14,4÷16В; 18,6А; двоспрямована; ±5%; SMA; P4SMAJ

4,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
13В
Недоступний
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; SOT363
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; SOT363

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Вимикач максимального струму; 240ВAC; 3÷15А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 240ВAC; 3÷15А; Полюси: 1

162,19 грн

Відповідність стандарту:
UL 1077
Кількість полюсів:
1
Номінальна напруга:
240В AC
Номінальний струм:
3...15А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; THT; 3A; 250V

258,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; 4x4x1,85мм; 800мА; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; 4x4x1,85мм; 800мА; ферит

3,93 грн

Висота:
1,85мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET