1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM04P56M2
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM04P56M2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -5,6А
Струм стоку в імпульсі: -22,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Вимикач безпеки: магнітний; BNS 260; NC x2; IP67; пластик; 400мА
Вимикач безпеки: магнітний; BNS 260; NC x2; IP67; пластик; 400мА

5074,13 грн

Властивості вимикачів безпеки:
без LED; без ключа; вихід сигналізації NC; шарнір кришки ліворуч
Дальність:
5мм
Електричне під'єднування:
М8
Зовнішні розміри:
26x36x13мм
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1808

24,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,6÷36ВDC; Uвих: 2,5ВDC; Iвих: 3А; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,6÷36ВDC; Uвих: 2,5ВDC; Iвих: 3А; THT

395,34 грн

Вихідна напруга:
2,5В DC
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
4,6...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 3,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷28ВDC; Uвих: 0,6÷5ВDC; 17А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷28ВDC; Uвих: 0,6÷5ВDC; 17А; SMD

2381,53 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
лоток
Вихідна напруга:
0,6...5В DC
Вихідний струм:
17А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8