1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -52,1А; Idm: -268А; 30Вт; DFN5

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -52,1А; Idm: -268А; 30Вт; DFN5
Немає в наявності
Код товару: NVMFS014P04M8LT1G
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS014P04M8LT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26,5нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 13,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: -52,1А
Струм стоку в імпульсі: -268А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,49Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 5,49Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

1,32 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: випрямний; DO205AB,DO9; гвинтовий; 1,25В; 75мкА
Діод: випрямний; DO205AB,DO9; гвинтовий; 1,25В; 75мкА

9249,25 грн

Корпус:
DO9; DO205AB
Монтаж:
гвинтовий
Пряма напруга макс.:
1,25В
Струм витоку:
75мкА
Недоступний
Датчик: ультразвуковий; прямий; Дальність: 30÷250мм; Корпус: M18
Датчик: ультразвуковий; прямий; Дальність: 30÷250мм; Корпус: M18

20563,89 грн

Вид датчика:
прямий
Дальність:
30...250мм
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 86,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 86,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

4,43 грн

Alias:
C0402C473K3RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -16А; 1,8Вт; SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -16А; 1,8Вт; SOT23-6

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11,7нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; Idm: -100А; 22,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; Idm: -100А; 22,5Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -18А; Idm: -72А; 22Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -18А; Idm: -72А; 22Вт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11,5А; Idm: -46А; 3,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11,5А; Idm: -46А; 3,1Вт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -53А; 3Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -53А; 3Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-5...20В