1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,3А; 5Вт; SC74,TSOP6

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,3А; 5Вт; SC74,TSOP6
Немає в наявності
Код товару: SQ3427CEV-T1_GE3
11,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ3427CEV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: -5,3А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 16В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 16В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603

2,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
15пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

333,88 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,98 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 3+N; 240ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 3+N; 240ВAC

12064,13 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Диференціальний струм:
30мА
Кількість полюсів:
3+N
Недоступний
Резистор: thin film; 673Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 673Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 16А; 10А; Igt: 25мА; D2PAK; SMD
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 16А; 10А; Igt: 25мА; D2PAK; SMD

22,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8