1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET + Schottky; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -6А

Транзистор: P-MOSFET + Schottky; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -6А
Немає в наявності
Код товару: QS5U27TR
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: QS5U27TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,2нКл
Корпус: TSOT25
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,34Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -1,5А
Струм стоку в імпульсі: -6А
Тип транзистора: P-MOSFET + Schottky
Недоступний
Резистор: thin film; 12,7кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 12,7кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Роз’єм: IDC; вилка; штекерний; PIN: 26; Quickie; прямий; 2,54мм
Роз’єм: IDC; вилка; штекерний; PIN: 26; Quickie; прямий; 2,54мм

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,81мм
Кількість пін:
26
Кількість рядів:
2
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 3мкФ; 700ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 3мкФ; 700ВDC; THT; ±10%

53,85 грн

Висота:
28,5мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер; 150МГц; TQFP128; CAN,I2C,SPI,UART,USB
IC: мікроконтролер; 150МГц; TQFP128; CAN,I2C,SPI,UART,USB

652,56 грн

Вид архітектури:
32бит
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PWM
Інтерфейс:
CAN; I2C; SPI; UART; USB
Кількість таймерів 16бит:
3
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний; екранований,кутовий
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний; екранований,кутовий

5869,88 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Недоступний
Діод: TVS; 200Вт; 167÷185В; 820мА; односпрямована; SOD123F
Діод: TVS; 200Вт; 167÷185В; 820мА; односпрямована; SOD123F

4,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
SOD123F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
151нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerDI®3333-8