Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -150В; -2,2А; 2,5Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G2K8P15S
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G2K8P15S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -2,2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 250ВDC; Ø16x15мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 250ВDC; Ø16x15мм; ±20%

24,65 грн

Висота:
15мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 32; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 32; SMT; straight

115,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,2мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; PowerDI®123; SMD; 30В; 2А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; PowerDI®123; SMD; 30В; 2А; ролик,cтрічка

65,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Ємність:
76пФ
Зворотна напруга макс.:
30В
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,82 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight

3,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210

4,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,2кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
8,2кОм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8