Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -16А; 3Вт; SOP8

Name: Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -16А; 3Вт; SOP8
Brand: GOFORD SEMICONDUCTOR
SKU: G16P03S
Price: 41.18 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: G16P03S

41,18 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

G16P03S

Виробник:

GOFORD SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

35нКл

Корпус:

SOP8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-30В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3Вт

Струм стока:

-16А

Технологія:

Trench

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
62нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
10нКл

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,65нКл

Корпус:
SOT323

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
DFN2020-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
58,4нКл

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
59нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
PDFN3030-8