1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -45А; 55Вт; DFN3x3-8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -45А; 55Вт; DFN3x3-8
Немає в наявності
Код товару: G16P03D3
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G16P03D3
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 35нКл
Корпус: DFN3x3-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 55Вт
Струм стока: -45А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; 1,5м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 4А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; 1,5м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 4А; ПВХ

739,36 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 100В; X5R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 100В; X5R; ±10%; SMD; 0805

11,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В

31,68 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,4пФ
Корпус - дюйм:
0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0603

5,07 грн

Alias:
C0603C104M8RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 220кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 220кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,51 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
220кОм
Недоступний
Діод: випрямний; 2кВ; 85А; анод на болті; DO203AB,DO5,E10; M8; 1,3В
Діод: випрямний; 2кВ; 85А; анод на болті; DO203AB,DO5,E10; M8; 1,3В

1846,81 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.:
2кВ
Корпус:
DO5; DO203AB; E10
Монтаж:
гвинтовий
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8