Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -85А; 100Вт; DFN5x6-8

Немає в наявності
Код товару: G050P03D5
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G050P03D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 111нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: -85А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 22мкГн; 610мА; ±20%; ферит; 3x1,2x3мм
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 22мкГн; 610мА; ±20%; ферит; 3x1,2x3мм

7,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Корпус - дюйм:
1212
Недоступний
Резистор: thin film; 856Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 856Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402

1,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; 0402; 100мВт; RK73B; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 10кОм; 0402; 100мВт; RK73B; 200ppm/°C

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
10кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

15,90 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,1нФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

4,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8